|
Lithografische apparatuur, als hieronder:
a. repeteerapparatuur (‹step and repeat› (‹direct step on wafer›) apparatuur of ‹step
and scan› (scanner) apparatuur) voor uitrichten en belichten ten behoeve van het bewerken
van wafers, waarbij gebruik wordt gemaakt van foto-optische of röntgenmethoden, met
één of beide van de volgende eigenschappen:
1. golflengte van de lichtbron korter dan 193 nm, of
2. golflengte van de lichtbron gelijk aan of groter dan 193 nm:
a. in staat om patronen te produceren met een ‹minimum resolvable feature size› (MRF)
van 45 nm of minder; en
b. een maximale ‹dedicated chuck overlay› (DCO) waarde kleiner dan of gelijk aan 1.50
nm.
Technische noot:
1. De ‹minimum resolvable feature size› (MRF) wordt berekend volgens de volgende formule:
waarbij de K-factor = 0,25
(MRF) is zelfde als resolutie.
2. DCO is de mate van accuraatheid van uitlijning van een nieuw patroon op een bestaand
patroon belicht op een wafer door hetzelfde lithografische systeem.
|
