|
3B801
|
‘Productieapparatuur’, ‘programmatuur’ en ‘technologie’ voor halfgeleiderelementen
of materialen, niet gecontroleerd onder 3B001, 3D001, 3D002 en 3E001 van bijlage I
bij de Verordening producten voor tweeërlei gebruik, als hieronder, en speciaal ontworpen
onderdelen en toebehoren daarvoor:
|
| |
|
a.
|
Apparatuur voor epitaxiale groei, als hieronder:
|
| |
|
|
4.
|
Apparatuur voor epitaxiale groei van silicium (Si) of siliciumgermanium (SiGe) met
alle van de volgende eigenschappen:
|
| |
|
|
|
a.
|
Tenminste één voorbehandelingskamer ontworpen voor oppervlaktevoorbereidingen bedoeld
om de oppervlakte van wafers te reinigen; en
|
| |
|
|
|
b.
|
Een kamer voor epitaxiale afzetting ontworpen voor afzetting op een werktemperatuur
van 958 K (685 °C) of lager.
|
| |
|
|
|
|
3B801
|
|
c.
|
Apparatuur voor schoonmaken of verwijderen, als hieronder:
|
| |
|
|
1.
|
Apparatuur ontworpen voor het verwijderen van polymeerresiduen en koperoxidelagen
ter voorbereiding voor het afzetten van een kopermetaal in een vacuümomgeving (gelijk
aan of lager dan 0,01 Pa).
|
| |
|
|
2.
|
Apparatuur ontworpen voor de droge verwijdering van oxides van oppervlakken of de
droge verwijdering van vervuiling op oppervlakken, gebruik makend van meerdere kamers
of meerdere stations.
|
| |
|
|
|
| |
|
Noot: 1. Controle 3B801.c geldt niet voor apparatuur om lagen af te zetten.
|
| |
|
|
|
|
3B801
|
|
d.
|
Apparatuur voor afzetting, als hieronder:
|
| |
|
|
1.
|
Apparatuur voor atomaire-lagen-afzetting (ALD) van ‘uittreearbeid’ metalen met alle
van de volgende eigenschappen:
|
| |
|
|
|
a.
|
Meer dan één metaalbron waarvan één functioneert als een aluminium (AI) uitgangsstof
(‹precusor›);
|
| |
|
|
|
b.
|
Uitgangsstofvat ontworpen voor temperaturen hoger dan 30 °C; en
|
| |
|
|
|
c.
|
Ontworpen voor afzetting van ‘uittreearbeid’ metalen met alle van de volgende eigenschappen:
|
| |
|
|
|
|
1.
|
Afzetting van titanium aluminium carbide (TiAlC); en
|
| |
|
|
|
|
2.
|
De mogelijkheid tot een ‘uittreearbeid’ hoger dan 4,0eV.
|
| |
|
|
|
|
|
| |
|
|
|
Technische noot: 1. ‘uittreearbeid metaal’ is een materiaal dat de drempelspanning van een transistor
reguleert.
|
| |
|
|
|
|
3B801
|
|
d.
|
2.
|
Apparatuur ontworpen voor het middels void-vrije-plasma versterkt afzetten van een
laag met een diëlectrische constante lager dan 3,3, in ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’
(<aspect ratio>) gelijk of groter dan 1:1 en een wijdte van minder dan 25 nm.
|
| |
|
|
|
| |
|
|
|
Technische noten:
1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen.
2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat
tussen de metalen lijnen.
|
| |
|
|
|
|
3B801
|
|
d.
|
3.
|
Apparatuur ontworpen voor atomaire-lagen-afzetting (ALD) van Molybdeen (Mo), Ruthenium
(Ru) of combinaties van beide materialen, met alle van de volgende eigenschappen:
|
| |
|
|
|
a.
|
Een metaalbron voor uitgangsstof (<precursor>) ontworpen of aangepast voor temperaturen
hoger dan 75 °C; en
|
| |
|
|
|
b.
|
Een kamer (module) waar gebruik gemaakt kan worden van een reductiemiddel dat waterstof
bevat, op een druk groter of gelijk aan 30 Torr (4kPa).
|
| |
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
Noot: 1. De bron voor metaal-uitgangsstof (<precursor>) hoeft niet geïntegreerd te zijn
in de apparatuur.
|
| |
|
|
|
|
|
3B801
|
|
d.
|
4.
|
Apparatuur ontworpen voor afzetten van een diëlectrische laag middels plasma versterkte
chemische-lagen-afzetting (PECVD) of chemische lagen afzetting met behulp van vrije
radicalen en UV behandeling in één platform, terwijl de substraattemperatuur lager
gehouden wordt dan 500 °C, met alle van de volgende eigenschappen:
|
| |
|
|
|
a.
|
Een laagdikte tussen de 6 en 20 nm op metalen ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’
(<aspect ratio>) gelijk of groter dan 1:1,8 en een wijdte van minder dan 24 nm; en
|
| |
|
|
|
b.
|
Een diëlectrische constante van minder dan 3,0
|
| |
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
Technische noten:
1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen.
2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat
tussen de metalen lijnen.
|
| |
|
|
|
|
|
3B801
|
|
d.
|
5.
|
Apparatuur voor het afzetten van lagen, gebruikmakend van directe vloeistofinjectie
van meer dan twee metalen uitgangsstoffen (<precursors>), ontworpen of aangepast voor
het aanbrengen van een conforme diëlectrische laag met een diëlektrische constante
(K) groter dan 40 in ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ (<aspect ratio>) gelijk
of groter dan 200:1 in een en dezelfde depositie kamer.
|
| |
|
|
|
| |
|
|
|
Technische noten:
1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen.
2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat
tussen de metalen lijnen.
|
| |
|
|
|
|
3B801
|
|
d.
|
6.
|
Apparatuur voor het afzetten van lagen, gebruikmakend van directe vloeistofinjectie
van meer dan twee metalen uitgangsstoffen (<precursors>), ontworpen of aangepast voor
het aanbrengen van een conforme diëlectrische laag met een diëlectrische constante
(K) groter dan 35 in ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ (<aspect ratio>) gelijk
of groter dan 50:1 in een en dezelfde depositie kamer.
|
| |
|
|
|
| |
|
|
|
Technische noten:
1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen.
2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat
tussen de metalen lijnen.
|
| |
|
|
|
|
3B801
|
|
d.
|
7.
|
Apparatuur of systemen voor de productie van halfgeleiders ontworpen voor in meerdere
stappen bewerken van wafers in meerdere kamers of stations, met één van de volgende
eigenschappen:
|
| |
|
|
|
a.
|
Selectieve groei van Tungsten (W) zonder barrière laag; of
|
| |
|
|
|
b.
|
Selectieve groei van Molybdenum (Mo) zonder barrière laag
|
| |
|
|
|
|
|
3B801
|
|
d.
|
8.
|
Apparatuur ontworpen voor het middels op afstand gegenereerde vrije radicalen afzetten
van een laag die silicium en koolstof bevat, met alle van de volgende eigenschappen
van de afgezette laag:
|
| |
|
|
|
a.
|
In ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ (<aspect ratio>) groter dan 5:1 en een
laterale wijdte van minder dan 35 nm;
|
| |
|
|
|
b.
|
Een diëlectrische constante (K) van minder dan 4,4; en
|
| |
|
|
|
c.
|
Een afstand tussen twee ‘gaten’ van minder dan 45 nm.
|
| |
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
Technische noten:
1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen.
2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat
tussen de metalen lijnen.
|
| |
|
|
|
|
|
3B801
|
|
d.
|
9.
|
Apparatuur, niet beschreven door 3B801.d.8, ontworpen voor het middels op afstand
gegenereerde vrije radicalen afzetten van een laag die silicium en koolstof bevat,
met alle van de volgende eigenschappen van de afgezette laag:
|
| |
|
|
|
a.
|
In ‘gaten’ met een ‘diepte/hoogteverhouding’ (<aspect ratio>) groter dan 5:1 en een
laterale wijdte van minder dan 70 nm;
|
| |
|
|
|
b.
|
Een diëlectrische constante (K) van minder dan 5,3; en
|
| |
|
|
|
c.
|
Een afstand tussen twee ‘gaten’ van minder dan 100 nm.
|
| |
|
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
Technische noten:
1. ‘Gaten’ is de ruimte tussen de metalen lijnen.
2. ‘Diepte/hoogteverhouding’ is de verhouding tussen de hoogte en diepte van het gat
tussen de metalen lijnen.
|
| |
|
|
|
|
|
|
3B801
|
|
f.
|
Lithografische apparatuur, als hieronder:
|
| |
|
|
5.
|
Repeteerapparatuur (‹step and repeat› (‹direct step on wafer›) apparatuur of ‹step
and scan› (scanner) apparatuur) voor uitrichten en belichten ten behoeve van het bewerken
van wafers, waarbij gebruik wordt gemaakt van foto-optische of röntgenmethoden, met
alle van de volgende eigenschappen:
|
| |
|
|
|
a.
|
een golflengte van de lichtbron gelijk aan of groter dan 193 nm;
|
| |
|
|
|
b.
|
in staat om patronen te produceren met een ‹minimum resolvable feature size› (MRF)
van 45 nm of minder; en
|
| |
|
|
|
c.
|
een maximale ‹dedicated chuck overlay› (DCO) waarde kleiner dan of gelijk aan 1,50
nm.
|
| |
|
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
Technische noten:
1. De ‹minimum resolvable feature size› (MRF) wordt berekend volgens de volgende formule:
|
| |
|
|
|
|
‘MRF' =
|
(golflengte van de lichtbron in nm) x (K factor)
maximale numerieke apertuur
|
|
| |
|
|
|
|
waarbij de K-factor = 0,25
(MRF) is zelfde als resolutie.
|
| |
|
|
|
|
2. DCO is de mate van accuraatheid van uitlijning van een nieuw patroon op een bestaand
patroon belicht op een wafer door hetzelfde lithografische systeem.
|
| |
|
|
|
|
|
|
3B801
|
|
f.
|
6.
|
Repeteerapparatuur (‹step and repeat› (‹direct step on wafer›) apparatuur of ‹step
and scan› (scanner) apparatuur) voor uitrichten en belichten ten behoeve van het bewerken
van wafers, waarbij gebruik wordt gemaakt van foto-optische of röntgenmethoden, met
alle van de volgende eigenschappen:
|
| |
|
|
|
a.
|
een golflengte van de lichtbron gelijk aan of groter dan 193 nm;
|
| |
|
|
|
b.
|
in staat om patronen te produceren met een ‹minimum resolvable feature size› (MRF)
van 45 nm of minder; en
|
| |
|
|
|
c.
|
een maximale ‹dedicated chuck overlay› (DCO) waarde hoger dan 1,50 nm en kleiner dan
of gelijk aan 2,40 nm.
|
| |
|
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
Technische noten:
1. De ‹minimum resolvable feature size› (MRF) wordt berekend volgens de volgende formule:
|
| |
|
|
|
|
‘MRF' =
|
(golflengte van de lichtbron in nm) x (K factor)
maximale numerieke apertuur
|
|
| |
|
|
|
|
waarbij de K-factor = 0,25
(MRF) is zelfde als resolutie.
|
| |
|
|
|
|
2. DCO is de mate van accuraatheid van uitlijning van een nieuw patroon op een bestaand
patroon belicht op een wafer door hetzelfde lithografische systeem.
|
| |
|
|
|
|
|
|
3B801
|
|
f.
|
7.
|
Apparatuur, niet beschreven door controle 3B801.f.5 of 3B801.f.6, ontworpen of aangepast
om het aantal verwerkte wafers per uur te verhogen met minstens 1% over een ieder
tijdsinterval, voor apparatuur gespecificeerd in 3B801.f.5 of 3B801.f.6.
|
| |
|
|
|
|
|
|
3B801
|
|
I.
|
EUV pellicles
|
| |
|
|
|
|
|
|
3B802
|
Testapparatuur voor het testen van halfgeleiderelementen, als hieronder:
|
| |
|
c.
|
Metrologie- of inspectieapparatuur, als hieronder:
|
| |
|
|
1.
|
Systemen voor het vinden of inspecteren van defecten op wafers met een daarop aangebracht
patroon, ontworpen of aangepast voor wafers groter of gelijk aan 300mm in diameter,
met alle van de volgende eigenschappen:
|
| |
|
|
|
a.
|
Ontworpen of aangepast om defecten te vinden met een afmeting kleiner of gelijk aan
21 nm; en
|
| |
|
|
|
b.
|
Gebruik makend van ten minste één van de volgende technologieën:
|
| |
|
|
|
|
1.
|
Een lichtbron met golflengte kleiner dan 400 nm;
|
| |
|
|
|
|
2.
|
Een elektronenbundel met een resolutie kleiner (beter) dan of gelijk aan 1,65 nm;
|
| |
|
|
|
|
3.
|
Een koude veldemissie (<Cold Field Emmision>) elektronenbundelbron;
|
| |
|
|
|
|
4.
|
Twee of meerdere elektronenbundelbronnen.
|
| |
|
|
|
|
|
|
| |
|
|
2.
|
Systemen ontworpen om uitlijning of focus te meten van productiewafers na het ontwikkelen
van fotolak of na etsen, gebruik makend van op afbeelding gebaseerde uitlijning of
van op diffractie gebaseerde meetmethoden, met nauwkeurigheid van de meting van de
uitlijning kleiner (beter) of gelijk aan 0,5nm en één van de volgende eigenschappen:
|
| |
|
|
|
a.
|
Ontworpen voor integratie in een ‘track’.
|
| |
|
|
|
b.
|
Gebruik makend van functionaliteit voor snelle golflengte wisseling (<fast wavelength
switching>).
|
| |
|
|
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
Technische noten:
1. Een track is apparatuur ontworpen voor het aanbrengen van een laag en het ontwikkelen
van fotolak voor lithografieapparatuur.
2. Onder snelle golflengte wisseling wordt verstaan dat binnen 25 ms de golflengte
gewisseld kan worden en een meting gedaan kan worden.
|
